就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
，
個(gè)產(chǎn)品，
對(duì)待每一
做到極致認(rèn)真
每一個(gè)零件
細(xì)
致
致
每一組數(shù)據(jù)
-
智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
-
潔凈烘箱，百級(jí)無(wú)塵烘箱
-
氮?dú)夂嫦?，精密充氮烘?/div>LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱（PI烤箱）真空無(wú)氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
最新消息
熱搜：HMDS烘箱 無(wú)塵烤箱 無(wú)氧烤箱
產(chǎn) 品 中 心
products
高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)
發(fā)布時(shí)間: 2021-12-08 14:34
高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)簡(jiǎn)介：
高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)主要用于電子電器零組件、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車(chē)配件、金屬、化學(xué)材料、塑料等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,通過(guò)測(cè)試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，可確認(rèn)產(chǎn)品的質(zhì)量,從精密的IC到重機(jī)械的組件，作為其產(chǎn)品改進(jìn)的依據(jù)或參考。以便考核試品的適應(yīng)性或?qū)υ嚻返男袨樽鞒龈倪M(jìn)、鑒定及出廠檢驗(yàn)用。
高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)技術(shù)性能：
機(jī)型 | JS-GDCJ-100/150/200/500B |
測(cè)試環(huán)境條件 | 環(huán)境溫度為+25℃、試驗(yàn)箱內(nèi)無(wú)試樣條件下 |
測(cè)試方法 | GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備 |
高溫室 | |
預(yù)溫度范圍 | RT～+200℃ |
升溫時(shí)間 | RT+10℃→+200℃ ≤40min 注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能 |
低溫室 | |
預(yù)冷溫度范圍 | RT~-70℃ |
降溫時(shí)間 | RT → -70℃≤60min 注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能 |
試驗(yàn)室（試樣區(qū)） | |
試驗(yàn)方式 | 氣動(dòng)風(fēng)門(mén)切換 3 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-常溫-低溫） 2 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-低溫） |
溫度沖擊范圍 | -55℃～ +80℃ |
溫度波動(dòng)度 | ±0.5℃ |
溫度偏差 | ±2.0℃ |
溫度恢復(fù)時(shí)間 | ≤5min |
恢復(fù)條件 | 試樣：塑料封裝集成電路（均布）傳感器位置：試樣的上風(fēng)側(cè) 高溫曝露： RT~+150℃：≥30分鐘 環(huán)境溫度曝露：常溫 低溫曝露： RT~-55℃：≥30分鐘 試樣重量：4.5kg（如需要放置重的試樣，請(qǐng)?zhí)崆案嬷?/span> |
制冷方式 | 水冷 |
高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)滿足標(biāo)準(zhǔn)：
1.GJB 150.5A-2009溫度沖擊試驗(yàn)
2.GJB 360B-2009溫度沖擊試驗(yàn)
3.GB/T 2424.13-2002/IEC 60068-2-33:1971電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
4.GB/T 2423.22-2012/IEC 60068-2-14:2009溫度沖擊試驗(yàn)
5.GB/T 2423.1-2008/IEC6008-2-1-2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫
6.GB/T 2423.2-2008/IEC60068-2-2：2007 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫
7.GB/T 10589-2008 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
8.GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
MUNE
>網(wǎng)站首頁(yè) >公司簡(jiǎn)介 >產(chǎn)品中心 >新聞動(dòng)態(tài)
>幫助文檔 >在線留言 >聯(lián)系我們
上海雋思實(shí)驗(yàn)儀器有限公司 ? 版權(quán)所有 滬ICP備16022591號(hào)-3
Copyright ? 2012-2018 junsicn.com All Rights Reserved.
技術(shù)支持：上海雋思儀器
CONTACT US
tel：18016234441
EMALL：junsish@163.com
