就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
，
個(gè)產(chǎn)品，
對(duì)待每一
做到極致認(rèn)真
每一個(gè)零件
細(xì)
致
致
每一組數(shù)據(jù)
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智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
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潔凈烘箱，百級(jí)無(wú)塵烘箱
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氮?dú)夂嫦?，精密充氮烘?/div>LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱（PI烤箱）真空無(wú)氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
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氣相成底膜設(shè)備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱在半導(dǎo)體光刻的用途
來(lái)源:
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作者:上海雋思半導(dǎo)體設(shè)備部
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發(fā)布時(shí)間: 2024-10-08
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集成電路的制造包括近800道物理、化學(xué)工序，主要有5個(gè)制造階段：晶圓（Wafer）的制備、芯片制造、芯片檢測(cè)、芯片封裝和驗(yàn)收測(cè)試。
其中半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)主要涉及IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封測(cè)三大環(huán)節(jié)。
核心IC制造環(huán)節(jié)是將芯片電路圖從掩膜轉(zhuǎn)移至硅片上，并實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)功能的過(guò)程，包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械研磨等步驟。
光刻的成本約占整個(gè)芯片制造成本的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40-60%，是大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中最復(fù)雜、昂貴和關(guān)鍵的工藝。
一般的光刻工藝要經(jīng)歷八道工序：氣相成底膜、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘 、顯影、堅(jiān)膜烘焙和檢測(cè)。
氣相成底膜工藝：
首先用六甲基二硅胺烷在硅片上形成底膜，該底膜使硅片表面疏離水分子，同時(shí)增強(qiáng)對(duì)光刻膠的結(jié)合力。
氣相成底膜設(shè)備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱
HMDS烘箱將六甲基二硅胺烷HMDS氣相沉積至半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
氣相成底膜設(shè)備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱特點(diǎn)：
HMDS藥液泄漏報(bào)警提示功能
HMDS低液位報(bào)警提示功能
工藝數(shù)據(jù)記錄功能
藥液管道預(yù)熱功能
程序鎖定保護(hù)等功能
氣相成底膜設(shè)備，六甲基二硅胺烷（HMDS）烘箱性能：
1.尺寸（深*寬*高）
內(nèi)腔尺寸：450×450×450（mm）（可定制）
外形尺寸：750×1120×1650（mm）
2. 材質(zhì)：外箱采用優(yōu)質(zhì)冷軋板噴塑，內(nèi)箱采用 316L 醫(yī)用級(jí)不銹鋼
3.溫度范圍：RT+50-200℃
4.溫度分辨率：0.1℃
5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5
6 真空度：≤133pa（1torr）
7.電源及總功率：AC 220V±10% / 50HZ，總功率約 3.2KW
8.控制儀表：人機(jī)界面，一鍵運(yùn)行
9.擱板層數(shù)：2 層
10.HMDS控制：可控制HMDS 藥液添加量
11.真空泵：無(wú)油渦旋真空泵
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