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  第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵具有耐壓、電流、功率、損耗等優(yōu)勢(shì)，已被國(guó)際認(rèn)可并開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化。氧化鎵作為第四代半導(dǎo)體材料，具有獨(dú)特的材料特性和優(yōu)勢(shì)，但其產(chǎn)業(yè)化仍面臨著成本、器件產(chǎn)業(yè)鏈和示范性應(yīng)用等問(wèn)題。

  第三代半導(dǎo)體是指寬禁帶半導(dǎo)體，包括碳化硅（SIC）和氮化鎵（GaN）這兩種禁帶寬度超過(guò)3eV的材料，剛剛開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用。第三代半導(dǎo)體材料具有高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，可用于高功率、高頻率電子器件。

  第四代半導(dǎo)體中的超寬禁帶指的是氧化鎵、金剛石、氮化鋁等材料，其中只有氧化鎵已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大尺寸突破（6英寸），預(yù)計(jì)未來(lái)3-5年可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。第四代半導(dǎo)體材料具有更好的電學(xué)性能和更廣泛的應(yīng)用前景，將成為未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。

  氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化相對(duì)簡(jiǎn)單，因?yàn)樽鳛閷捊麕Р牧?，氧化鎵的芯片制造過(guò)程抗干擾能力很強(qiáng)，可以用GaN的現(xiàn)成芯片產(chǎn)線就可以制造氧化鎵器件。幾乎所有的研發(fā)單位都是有GaN基礎(chǔ)，從GaN轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，不用新建實(shí)驗(yàn)環(huán)境，直接就在之前的HMDS真空烘箱設(shè)備上就能做氧化鎵開(kāi)發(fā)。

HMDS真空烘箱優(yōu)點(diǎn)

 材質(zhì)：內(nèi)箱采用316L醫(yī)用級(jí)不銹鋼

工藝溫度：100-150℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動(dòng)度：≤±0.5

真空度：≤1torr

操作界面：人機(jī)界面，一鍵作業(yè)

層數(shù):1-2層

HMDS控制:可控制HMDS藥液的添加量

圖像處理：圖像反轉(zhuǎn)

真空泵: 進(jìn)口無(wú)油泵

保護(hù)裝置：緊急停止，HMDS藥液泄漏報(bào)&警提示，HMDS低液位報(bào)&警，超溫保護(hù)，漏電保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)等

HMDS真空烘箱 hmds烘箱  hmds預(yù)處理烤箱使基底表面由親水性變?yōu)槭杷?，增?qiáng)表面的黏附性（HMDS-六甲基二硅胺烷）。適用于硅片、麟化銦、砷化鎵、陶瓷、氮化鎵、氧化稼、不銹鋼、硫化鋅、鈮酸鋰、石英玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料。