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     氮化鎵半導體激光器目前覆蓋近紫外（375 nm）至綠光（532 nm）的波長范圍，廣泛應用于激光曝光、激光顯示、激光焊接、激光照明、激光指示、激光傳感等重要領(lǐng)域。

     來自北京大學的研發(fā)團隊經(jīng)過逾20年的刻苦攻關(guān)，在數(shù)十項國家級和省部級科研項目的大力支持下，攻克了氮化鎵半導體激光器相關(guān)的主要科學和技術(shù)問題，建立了芯片制備技術(shù)中的8大核心工藝，打破國外企業(yè)長期的技術(shù)壟斷，有力實現(xiàn)“彎道超車”。

     由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新區(qū)智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園。

     近日，颶芯科技的氮化鎵（GaN）半導體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會宣布產(chǎn)線正式投產(chǎn)。颶芯科技氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線的投產(chǎn)，將極大地促進颶芯科技發(fā)展成為國內(nèi)第三代半導體行業(yè)細分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，帶動上下游形成完整的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈，輻射全國，服務全球。

氮化鎵（GaN）襯底HMDS烘箱

       HMDS烘箱適用于硅片、砷化鎵、氮化鎵、磷化銦、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石等第三代半導體工藝。

      HMDS烘箱工藝先去除水蒸氣烘烤后，在基地表面使用氣相沉積的方法涂布HMDS試劑，使基底表面由親水性變?yōu)槭杷裕鰪姳砻娴酿じ叫裕℉MDS-六甲基二硅胺烷）。